英偉達(dá)、AMD據(jù)悉包下臺積電今明兩年先進(jìn)封裝產(chǎn)能

5月6日，據(jù)《臺灣經(jīng)濟(jì)日報》報道，AI巨頭英偉達(dá)、AMD全力沖刺高效能運(yùn)算（HPC）市場，傳出包下臺積電今明年CoWoS與SoIC先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

臺積電高度看好AI相關(guān)應(yīng)用帶來的動能，該公司總裁魏哲家于4月法說會上修訂了AI訂單能見度與營收占比，其中，訂單能見度從原預(yù)期的2027年拉長到2028年。

臺積電認(rèn)為，服務(wù)器AI處理器今年貢獻(xiàn)營收將增長超過一倍，占公司2024年總營收十位數(shù)低段百分比，預(yù)計未來五年服務(wù)器AI處理器年復(fù)合增長率達(dá)50%，2028年將占臺積電營收超過20%。

微軟發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重安全漏洞，影響數(shù)十億下載量Android應(yīng)用

據(jù)AndroidAuthority報道，微軟近日披露了一個名為“Dirty Stream”的嚴(yán)重安全漏洞，該漏洞可能影響到數(shù)十億下載量的Android應(yīng)用。攻擊者一旦利用此漏洞，便有可能控制應(yīng)用并竊取用戶敏感信息。

“Dirty Stream”漏洞的核心在于惡意應(yīng)用可以操縱和濫用Android的內(nèi)容提供程序系統(tǒng)。該系統(tǒng)通常用于設(shè)備上不同應(yīng)用之間安全地交換數(shù)據(jù)，并包含嚴(yán)格的數(shù)據(jù)隔離、特定URI附加權(quán)限以及文件路徑驗(yàn)證等安全措施，以防止未經(jīng)授權(quán)的訪問。

谷歌要求法院駁回Epic“開放Play商店”要求

據(jù)路透社報道，谷歌近日向舊金山聯(lián)邦法院提交了一份文件，對Epic在此前贏得反壟斷訴訟后所提出的一系列針對Play商店的改革要求表示強(qiáng)烈反對，要求法院駁回Epic的請求。

谷歌在文件中稱，Epic的提議“將使谷歌幾乎無法參與競爭”。谷歌政府事務(wù)和公共政策主管Wilson White在一份聲明中說：“Epic的要求將損害消費(fèi)者、開發(fā)者和設(shè)備制造商的隱私、安全和整體體驗(yàn)。”

谷歌表示，其與各州和消費(fèi)者達(dá)成的相關(guān)Play商店和解協(xié)議使得Epic“沒有必要”申請禁令，該和解協(xié)議中的補(bǔ)救措施已經(jīng)完全解決了Epic在庭審中提出的反競爭行為指控。

支付寶：五一期間入境賓客在華用支付寶消費(fèi)同比增長七倍

支付寶5月5日公布數(shù)據(jù)顯示，五一期間，國際游客來華免簽國如荷蘭、新加坡、馬來西亞、泰國使用支付寶消費(fèi)同比增長顯著，中東地區(qū)尤其是沙特阿拉伯的游客使用也表現(xiàn)突出。

此外，入境賓客綁外卡用支付寶消費(fèi)同比增長7倍，用支付寶做全球游客生意的中國商家數(shù)量同比增長4.5倍。

支付寶方面還稱，其聯(lián)合全球商家推出的“全球省錢通”在泰國、韓國、馬來西亞等地的優(yōu)惠最受歡迎，中國港澳、日本、韓國、美國、泰國則是最受支付寶用戶青睞的目的地，香港的公共交通交易筆數(shù)同比增長63%。

消息稱英偉達(dá)“煽動”三星與SK海力士競爭，以降低HBM價格

近日，有韓國媒體援引分析師消息稱，英偉達(dá)正在刺激三星電子與SK海力士之間的競爭，這兩家企業(yè)當(dāng)前正處于HBM（高帶寬內(nèi)存）市場的“頭部”地位。該分析師認(rèn)為，英偉達(dá)的目的是通過使兩家公司之間的競爭加劇，從而降低向自己供應(yīng)的HBM的價格。

報道還引述華爾街和業(yè)內(nèi)消息人士說法，稱英偉達(dá)股價在紐約證券交易所呈下跌趨勢，而AMD等同行近期的表現(xiàn)和預(yù)測也沒能達(dá)到市場預(yù)期。

SK海力士內(nèi)存產(chǎn)品提價約15%至25%，下半年漲幅將趨緩

5月5日，據(jù)華爾街見聞引述供應(yīng)鏈消息，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM產(chǎn)品，據(jù)稱均有15%-20%的提價。供應(yīng)鏈人士表示，SK海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%至100%不等，下半年漲幅將趨緩。

該公司曾在今年一季度財報電話會上表示，將在年內(nèi)推出1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒。32Gb顆粒意味著消費(fèi)級的UDIMM（無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組）和SODIMM（小外形雙列直插式內(nèi)存模塊）可實(shí)現(xiàn)64GB單條容量；企業(yè)級的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工藝3D堆疊的情況下，達(dá)到單模組128GB，滿足服務(wù)器對大內(nèi)存的需求。